VBsemi(微碧半导体)China
SI2312BDS-T1-E3-VB
Transistors - FETs, MOSFETs - Single台积电流片，长电科技封装；SOT23；N—Channel沟道,20V；6A；RDS(ON)=28mΩ@VGS=4.5V,VGS=12V；Vth=0.45~1V；这是一款单N型场效应晶体管，适用于多种应用场景。采用Trench工艺制造；可用作开关电源的关键部件，驱动汽车电子系统中的各种负载，控制和驱动各种工业设备和机器人系统。
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Key specs
Drain-source voltage20 V
Continuous drain current6 A
On-resistance50 mΩMax · 1.8V
| Power | |
|---|---|
| 漏源电压(Vdss) | 20V |
| 连续漏极电流(Id) | 6A |
| Other | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 50mΩ@1.8V |
| 耗散功率(Pd) | 1.25W |