VBsemi(微碧半导体)China
SI2333DS-T1-E3-VB
Transistors - FETs, MOSFETs - Single台积电流片，长电科技封装；SOT23；P—Channel沟道,-20V；-5A；RDS(ON)=34mΩ@VGS=4.5V,VGS=8V；Vth=-0.45~-1V；是一款单P通道功率MOSFET，采用Trench工艺制造，适用于各种低压、小功率的电源管理、开关控制、信号放大和电路保护等领域。
All alternatives
View full reportTechnical parameters
Key specs
Drain-source voltage20 V
Continuous drain current5 A
On-resistance67 mΩMax · 1.8V
| Power | |
|---|---|
| 漏源电压(Vdss) | 20V |
| 连续漏极电流(Id) | 5A |
| Other | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 67mΩ@1.8V |
| 耗散功率(Pd) | 2W |