JSMSEMI(杰盛微)China
SI2333DS-T1-GE3-JSM
Transistors - FETs, MOSFETs - Single适用于各类中低电压、高效率开关应用。卓越的导通性能与低RDS(ON)，使之成为充电器、LED驱动、DC/DC转换等领域的理想选择。
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Key specs
Drain-source voltage20 V
Continuous drain current4.2 A
On-resistance110 mΩMax · 1.5V
| Power | |
|---|---|
| 漏源电压(Vdss) | 20V |
| 连续漏极电流(Id) | 4.2A |
| Other | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 110mΩ@1.5V,1.0A |
| 耗散功率(Pd) | 1.5W |
Documents
DatasheetDatasheet · 2.5 MB · 2026-09-21DatasheetDatasheet · 2.0 MB · 2026-09-21DatasheetDatasheet · 1.6 MB · 2026-09-21DatasheetDatasheet · 622.4 KB · 2026-09-21DatasheetDatasheet · 413.5 KB · 2026-09-21DatasheetDatasheet · 371.1 KB · 2026-09-21DatasheetDatasheet · 225.2 KB · 2026-09-21
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