HXY MOSFET(华轩阳电子)China

该肖特基二极管额定平均正向电流为2A，反向重复峰值电压达200V，适用于较高电压的整流场景。其正向导通压降为0.95V，在同类高耐压产品中具备较好的导通效率，有助于降低能量损耗。反向漏电流在额定条件下为300μA，需在设计时考虑散热与漏电影响。器件可承受40A的峰值浪涌电流，具备较强的瞬态过载能力。由于兼具较高的耐压与较大的电流处理能力，常用于开关电源输出整流、AC-DC转换器、逆变电路及电池管理系统中的续流与防反接应用，适合对功率密度和转换效率有一定要求的电子设备。【联系：sales@hxymos.com】