HXY MOSFET(华轩阳电子)China

该肖特基二极管采用独立式结构，额定平均正向电流为2A，最大反向重复峰值电压为60V。其正向压降典型值为0.7V，有助于降低导通损耗；在反向偏置条件下，最大漏电流为500μA，体现出良好的阻断能力。器件可承受高达50A的非重复正向浪涌电流（IFSM），适用于高频整流、开关电源输出级、电池供电设备中的极性保护以及各类对效率和响应速度有要求的电子电路中。