HXY MOSFET(华轩阳电子)China

【联系：sales@hxymos.com】该肖特基二极管为独立式配置，额定正向电流（IF）为2A，最大反向电压（VR）达60V。其正向压降（VF）典型值为0.7V，在导通状态下具有较低的功耗表现；反向漏电流（IR）为500μA，适用于对能效和热管理有一定要求的电路环境。器件可承受高达50A的非重复峰值正向浪涌电流（IFSM），在应对瞬态电流冲击时具备良好稳定性。该产品适用于各类电源整流、极性保护及高频开关应用场景。