HXY MOSFET(华轩阳电子)China

该肖特基二极管具有3A的平均正向整流电流（IF）和100V的反向耐压（VR），适用于中等电压、较高电流的整流与续流场景。其正向导通压降低至0.85V，在导通状态下能量损耗较小，有助于提升系统效率。在反向偏置条件下，漏电流典型值为100μA，具备良好的阻断特性。器件可承受高达80A的峰值浪涌电流（IFSM），对瞬态过流有较强耐受能力。广泛用于开关电源、DC-DC转换器、逆变电路及电池供电设备中的防反接与保护电路。【联系：sales@hxymos.com】