HXY MOSFET(华轩阳电子)China
【联系：sales@hxymos.com】该肖特基二极管为独立式结构，额定正向电流为3A，最大反向电压为100V。其正向压降典型值为0.85V，在导通状态下能量损耗较低；反向漏电流为100μA，体现出良好的反向截止特性。器件具备70A的非重复峰值正向浪涌电流能力，适用于对效率和响应速度有要求的整流、续流及电源管理电路，常见于各类电子设备中的直流转换与保护功能模块。
All alternatives
View full reportTechnical parameters
Key specs
Forward voltage850 mVMax
| Environment and package | |
|---|---|
| 封装 | SMA |
| Other | |
| IF | 3A |
| IFSM | 70A |
| IR | 100uA |
| VF | 0.85V |
| VR | 100V |
| 二极管配置 | 独立式 |