HXY MOSFET(华轩阳电子)China

该肖特基二极管为独立式结构，额定平均正向电流（IF）为3A，最大反向重复峰值电压（VR）达100V。其正向压降（VF）典型值为0.85V，有助于降低导通损耗；在反向偏置条件下，漏电流（IR）不超过100μA，具备良好的阻断能力。器件可承受高达70A的非重复浪涌正向电流（IFSM），适用于高频整流、电源转换及续流保护等电路场合。