HXY MOSFET(华轩阳电子)China

该肖特基二极管为独立式配置，额定正向电流为3A，最大反向电压达100V。其正向压降典型值为0.85V，在导通状态下具有较低的功耗表现；反向漏电流为100μA，体现出良好的反向阻断特性。器件可承受高达70A的非重复峰值正向浪涌电流，适用于对效率和响应速度要求较高的整流与开关场景，常见于电源转换、适配器及各类电子设备的保护电路中。