HXY MOSFET(华轩阳电子)China
【联系：sales@hxymos.com】该肖特基二极管采用独立式结构，额定正向电流为3A，最大反向电压为100V。其正向压降为0.85V，在导通状态下能量损耗较低；反向漏电流为100μA，具备良好的反向截止特性。器件的非重复峰值正向浪涌电流可达70A，适用于高频整流、开关电源次级侧、直流变换电路以及对效率和响应速度有较高要求的电子系统中。
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Key specs
Forward voltage850 mVMax
| Environment and package | |
|---|---|
| 封装 | SMB |
| Other | |
| IF | 3A |
| IFSM | 70A |
| IR | 100uA |
| VF | 0.85V |
| VR | 100V |
| 二极管配置 | 独立式 |