HXY MOSFET(华轩阳电子)China

该肖特基二极管为独立式结构，额定正向电流为3A，最大反向重复电压达100V。其正向压降典型值为0.85V，在导通状态下具有较低的功耗表现；反向漏电流为100μA，具备良好的阻断特性。器件可承受高达70A的非重复峰值正向浪涌电流，适用于对效率和响应速度要求较高的电源整流、开关模式电源输出级以及各类低压高频电路中，能有效提升系统整体能效与稳定性。