HXY MOSFET(华轩阳电子)China

该静电和浪涌保护器件采用单向设计，适用于对静电放电和瞬态过压敏感的电子系统。其最大峰值脉冲电流IPP为8A，反向工作电压VRWM为20V，可有效吸收静电冲击并维持电路稳定。器件内含2个独立通道，结电容CJ低至90pF，有助于减少信号失真，提升高频性能。适用于便携式电子产品、通信接口及高精度控制模块，提供稳定可靠的电路保护方案。