HXY MOSFET(华轩阳电子)China
SM6366ED1RL-HXY
Transistors - FETs, MOSFETs - SingleSM6366ED1RL 型号N沟道MOS管，采用DFN5X6-8L封装设计，兼具小型化与高效散热功能，特别适合现代高密度电子设备应用。器件拥有30V额定电压VDSS，提供高达120A连续电流ID处理能力，展现卓越的电力控制性能。其3.5mR超低导通电阻，有效提高能源效率并减少系统损耗。
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Key specs
ChannelN-channel
Drain-source voltage30 V
Continuous drain current120 A
On-resistance4.4 mΩMax · 10V
| Power | |
|---|---|
| 漏源电压(Vdss) | 30V |
| 连续漏极电流(Id) | 120A |
| Other | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4.4mΩ@10V |
| 数量 | 1个N沟道 |