HXY MOSFET(华轩阳电子)China
本元器件专为保护敏感设备免受静电和浪涌危害设计，具备1.3A的电流承载能力和190V的工作电压。采用单通道Bi双向类型，确保高效能保护，适用于多种电子系统，为您的设备提供可靠的安全屏障。
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View full reportTechnical parameters
| Environment and package | |
|---|---|
| 封装 | SMA |
| Other | |
| IPP | 1.3A |
| LINE | 1通道 |
| TYPE | Bi双向 |
| VRWM | 190V |
本元器件专为保护敏感设备免受静电和浪涌危害设计，具备1.3A的电流承载能力和190V的工作电压。采用单通道Bi双向类型，确保高效能保护，适用于多种电子系统，为您的设备提供可靠的安全屏障。
| Environment and package | |
|---|---|
| 封装 | SMA |
| Other | |
| IPP | 1.3A |
| LINE | 1通道 |
| TYPE | Bi双向 |
| VRWM | 190V |