HXY MOSFET(华轩阳电子)China
该SMB封装Bi双向TVS瞬态抑制二极管,专为22V系统设计,具备出色的双向过压防护能力。可在正负瞬态事件中承受高达16.9A峰值脉冲电流,快速响应并有效钳位电压尖峰,适用于电源线和信号线的双向浪涌保护,有效防止雷击、静电等瞬态现象对电子设备造成损害。
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View full reportTechnical parameters
Key specs
Reverse standoff voltage22 V
Breakdown voltage24.4 V
Clamping voltage35.5 VMax
| 击穿电压 | 24.4V |
| 反向截止电压(Vrwm) | 22V |
| 峰值脉冲电流(Ipp) | 16.9A |
| 钳位电压 | 35.5V |