HXY MOSFET(华轩阳电子)China
这款SMB封装的Uni单向TVS瞬态抑制二极管,专为33V反向工作电压下的高效过压防护设计。能在瞬间承受高达11.3A的峰值脉冲电流IPP,快速响应并精确钳位过电压,有效保护电路不受雷击、静电等瞬态事件冲击,是电源线、信号线等中高压应用的理想单向浪涌保护解决方案。
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View full reportTechnical parameters
Key specs
Reverse standoff voltage33 V
Breakdown voltage36.7 V
Clamping voltage53.3 VMax
| 击穿电压 | 36.7V |
| 反向截止电压(Vrwm) | 33V |
| 峰值脉冲电流(Ipp) | 11.3A |
| 钳位电压 | 53.3V |