HXY MOSFET(华轩阳电子)China

本产品为静电和浪涌保护器件（TVS/ESD），适用于多种对电路稳定性要求较高的应用场景。其反向截止电压VRWM为13V，击穿电压范围VBR为14.40~15.90V，钳位电压VC为21.5V，在瞬态过压事件中可迅速导通并抑制电压波动，保护后级电路不受损坏。采用单向（Uni）结构设计，有利于提升信号传输的可靠性。最大峰值脉冲电流IPP为139.5A，具备良好的瞬态能量吸收能力，能够有效应对静电放电及外部浪涌干扰，保障设备在复杂电磁环境下的稳定运行。