HXY MOSFET(华轩阳电子)China

该静电和浪涌保护器件为单向设计，具备12.3A的峰值脉冲电流（IPP）能力，能够有效抑制瞬态过电压。其最大反向工作电压（VRWM）为150V，击穿电压（VBR）范围为167.00~185.00V，响应速度快，可在电压异常时迅速导通泄流。钳位电压（VC）为243V，保障后级电路安全。适用于各类对电压敏感的电子系统中，可用于通信设备、消费电子产品等的信号线或电源线路保护，提升整体系统的稳定性和可靠性。