HXY MOSFET(华轩阳电子)China

该TVS/ESD器件为双向保护元件，适用于高可靠性电路防护场景。其VRWM截止电压为160V，工作状态下可有效防止静电及浪涌干扰；击穿电压VBR范围为178.00~197.00V，确保瞬态高压得到及时钳位。在8/20μs浪涌测试条件下，最大钳位电压VC为259V，具备较强的瞬态电流承受能力，额定峰值脉冲电流IPP达11.6A。采用Bi双向结构设计，可在正负极性浪涌冲击下提供均衡保护性能，适用于通信接口、精密仪器及通用电子设备中的电路防护应用。