HXY MOSFET(华轩阳电子)China

本产品为静电和浪涌保护器件（TVS/ESD），具备优异的瞬态电压抑制性能。其最大峰值脉冲电流IPP为10.3A，反向工作电压VRWM为180V，击穿电压VBR范围为201.00~222.00V，钳位电压VC为292V，采用单向（Uni）结构设计，能够在短时间内有效吸收高能量脉冲，防止电路中的敏感元件受到静电或浪涌损坏。该器件适用于通信模块、便携式电子设备及各类电源接口保护，提供稳定、快速的电压抑制能力，保障系统运行的安全性和稳定性。