HXY MOSFET(华轩阳电子)China

该肖特基二极管为独立式结构，额定正向电流IF为2A，最大反向电压VR达40V。其正向压降VF典型值为0.55V，有助于降低导通损耗；在反向偏置条件下，漏电流IR为500μA。器件可承受高达50A的非重复峰值正向浪涌电流（IFSM），适用于对效率和瞬态响应有要求的整流、续流及电源极性保护等电路场合。