HXY MOSFET(华轩阳电子)China
【联系：sales@hxymos.com】该P沟道场效应管最大漏极电流为5A，漏源击穿电压20V，导通电阻典型值35mΩ。器件适用于低压电源管理、电池保护及负载开关电路。其适中的导通阻抗有助于平衡导通损耗与成本，适合便携式设备、消费电子及紧凑型电源模块中的功率控制应用，满足对空间布局和热性能有要求的设计需求。
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Key specs
Continuous drain current5 A
| Environment and package | |
|---|---|
| 封装 | SOT-23 |
| Other | |
| ID | 5A |
| RDON | 35mR |
| TYPE | P沟道 |
| VDSS | 20V |