HXY MOSFET(华轩阳电子)China
这款N沟道场效应管(MOSFET)具备卓越的电气性能，其最大连续漏极电流ID可达30A，能够承受高达60V的漏源电压VDSS。该器件拥有低至22mΩ的导通电阻RDON，确保了在高负载下的高效能运行。同时，它支持-20V到+20V的栅源电压VGS范围，适用于要求快速开关和良好热性能的应用场景。此MOSFET是电源管理、LED照明以及消费电子等领域中实现电路控制与保护的理想选择。
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Key specs
Continuous drain current30 A
| Environment and package | |
|---|---|
| 封装 | TO-252-2L |
| Other | |
| ID | 30A |
| RDON | 22mR |
| TYPE | N沟道 |
| VDSS | 60V |
| VGS | 20V |