HXY MOSFET(华轩阳电子)China

该肖特基二极管为独立式结构，额定正向电流IF为3A，最大反向电压VR达40V。其正向压降VF典型值为0.55V，有助于减少导通状态下的功率损耗；反向漏电流IR为100μA，体现出良好的反向截止特性。器件具备80A的非重复峰值正向浪涌电流（IFSM）能力，适用于对效率和响应速度有要求的整流、续流及保护电路，常见于开关电源、适配器及各类低压电子系统中。