HXY MOSFET(华轩阳电子)China

本场效应管（MOSFET）采用N+N沟道结构，支持双向导通与高效开关操作。其最大漏极电流ID为8.5A，漏源击穿电压VDSS为30V，适用于中低功率电源系统。17mΩ的超低导通电阻（RDON）显著减少导通损耗，提高整体效率。该器件可广泛应用于便携式电源管理、DC-DC转换电路、电池保护模块及高密度电子设备中，提供稳定可靠的电力控制性能，满足对效率与尺寸双重要求的应用场景。