VBsemi(微碧半导体)China
STS8DNF3LL-VB
Transistors - FETs, MOSFETs - Single台积电流片，长电科技封装；是一款双N通道功率场效应管，采用Trench工艺，适用于电源管理模块、电机驱动、电流检测和调节以及逆变器等领域。SOP8；2个N—Channel沟道,30V；8.5A；RDS(ON)=16mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1.2~2.5V；
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Key specs
ChannelN-channel
Drain-source voltage30 V
Continuous drain current7.2 A
On-resistance16 mΩMax · 10V
| Power | |
|---|---|
| 漏源电压(Vdss) | 30V |
| 连续漏极电流(Id) | 7.2A |
| Other | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 16mΩ@10V,8A |
| 数量 | 2个N沟道 |