VBsemi(微碧半导体)China
Si1553CDL-T1-GE3-VB
Transistors - FETs, MOSFETs - Single台积电流片，长电科技封装；是一款双N型和P型沟道功率MOSFET，采用Trench工艺，适用于各种需要同时控制正负极电流的应用场合。SC70-6；N+P—Channel沟道,±20V；3.28/-2.8A；RDS(ON)=90/155mΩ@VGS=4.5V,VGS=20V；Vth=±0.45~1V；
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Key specs
ChannelN + P
Drain-source voltage20 V
Continuous drain current2.13 A
| Power | |
|---|---|
| 漏源电压(Vdss) | 20V |
| 连续漏极电流(Id) | 2.13A |
| Other | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 |
| 耗散功率(Pd) | 880mW |