TF2184M-TAH
Gate Drivers负载类型:MOSFET/IGBT,是否隔离:非隔离,电源电压:10V-20V,峰值灌电流:1.9A,峰值拉电流:2.3A,上升时间:40ns,下降时间:20ns,特性:半桥栅极驱动器; VCC电压范围: 10V-20V; MOSFETs或IGBTs预驱,工作温度:-40°C to +125°C
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Key specs
Drivers2
Driven configurationHalf-bridge
Supply voltage10 ~ 20 V
| Power | |
|---|---|
| 工作电压 | 10V~20V |
| 驱动通道数 | 2 |
| Other | |
| 负载类型 | MOSFET；IGBT |
| 驱动配置 | 半桥 |