HXY MOSFET(华轩阳电子)China
【联系：sales@hxymos.com】该N沟道碳化硅MOSFET具有37A的连续漏极电流和650V的漏源击穿电压，导通电阻为94mΩ，在栅源电压范围-10V至+25V内稳定工作。器件利用碳化硅材料特性，在高频、高效率电力转换场景中表现出优异的开关性能与热稳定性，适用于对能效和功率密度有较高要求的电源系统，如服务器电源、可再生能源逆变器及高频率开关电源等应用场合。
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Key specs
Continuous drain current37 A
| Environment and package | |
|---|---|
| 封装 | DFN8X8B |
| Other | |
| ID | 37A |
| RDON | 94mR |
| TYPE | N-ch |
| VDSS | 650V |
| VGS | -10/+25V |