VBsemi(微碧半导体)China

SOP8；N+P—Channel沟道,±60V；13/-10A；RDS(ON)=6/12mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1/-0.9~2.2/-2.5V；是一款双N型和P型沟道功率MOSFET，采用Trench工艺，适用于各种电路设计。