VBsemi(微碧半导体)China
台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道场效应晶体管，设计用于各种功率控制和驱动应用。采用Trench工艺，适用于各种功率控制和驱动应用，包括电源模块、马达驱动模块、照明控制模块等领域TO252；N—Channel沟道,30V；80A；RDS(ON)=5mΩ@VGS=10V,VGS=±20V；Vth=1~2.5V；
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Technical parameters
Key specs
ChannelN-channel
Drain-source voltage30 V
Continuous drain current80 A
On-resistance6 mΩMax · 4.5V
| Power | |
|---|---|
| 漏源电压(Vdss) | 30V |
| 连续漏极电流(Id) | 80A |
| Other | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6mΩ@4.5V |
| 数量 | 1个N沟道 |