VBsemi(微碧半导体)China
台积电流片，长电科技封装；是一款单通道N沟道场效应晶体管，采用Trench工艺，适用于需要中等功率、中等电流的电子系统，如电源管理、LED驱动和工业控制等领域的模块中。TO252；N—Channel沟道,60V；97A；RDS(ON)=5mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2~4V；
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Technical parameters
Key specs
ChannelN-channel
Drain-source voltage60 V
Continuous drain current97 A
On-resistance12 mΩMax · 4.5V
| Power | |
|---|---|
| 漏源电压(Vdss) | 60V |
| 连续漏极电流(Id) | 97A |
| Other | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 12mΩ@4.5V |
| 数量 | 1个N沟道 |