VBsemi(微碧半导体)China
台积电流片，长电科技封装；是一款单P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺，适用于对功耗要求较低、信号稳定性要求较高的各种模块和领域，包括但不限于低功耗电源管理、信号放大、逆变器控制和数字电路控制等领域。TO252；P—Channel沟道,-30V；-40A；RDS(ON)=18mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-2.5V；
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Technical parameters
Key specs
ChannelP-channel
Drain-source voltage30 V
Continuous drain current40 A
On-resistance25 mΩMax · 4.5V
| Power | |
|---|---|
| 漏源电压(Vdss) | 30V |
| 连续漏极电流(Id) | 40A |
| Other | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 25mΩ@4.5V |
| 数量 | 1个P沟道 |