HXY MOSFET(华轩阳电子)China
WNSC06650T6J-HXY
Single Diodes该碳化硅二极管为独立式配置,具有6A的额定正向电流和650V的反向重复峰值电压,正向压降典型值为1.32V,能承受高达60A的非重复浪涌正向电流。凭借碳化硅材料的物理特性,器件在高频工作条件下表现出较低的开关损耗与良好的热稳定性,适用于高效率电源转换系统,如服务器电源、通信电源及可再生能源相关的电力变换装置,在高温或高频率运行环境中仍可维持可靠性能。
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Key specs
Reverse voltage650 V
Average rectified current6 A
Forward voltage1.32 VMax · 6A
| Power | |
|---|---|
| 整流电流 | 6A |
| Other | |
| 二极管配置 | 1个独立式 |
| 正向压降(Vf) | 1.32V@6A |
| 直流反向耐压(Vr) | 650V |