HXY MOSFET(华轩阳电子)China

该碳化硅二极管采用独立式结构，额定正向电流为4A，最大反向重复峰值电压达650V，典型正向压降为1.53V，在浪涌条件下可承受高达32A的非重复峰值正向电流。凭借碳化硅材料的特性，器件在高频、高温环境下展现出优异的稳定性和效率，适用于对开关速度和能效要求较高的电源转换、功率因数校正及各类高密度电力电子系统中。