HXY MOSFET(华轩阳电子)China

本产品为N+P沟道场效应管（MOSFET），具备7A连续漏极电流（ID）和30V漏源击穿电压（VDSS），适用于中功率电源转换与管理应用。导通电阻（RDON）低至25mΩ，有效降低导通损耗，提升系统效率。采用N沟道与P沟道组合结构，兼顾开关速度与稳定性，适合用于电源适配器、充电设备、DC-DC转换模块以及各类便携式电子产品中的功率控制电路。