VBsemi(微碧半导体)China
ZXMC6A09DN8TC-VB
Transistors - FETs, MOSFETs - Single台积电流片，长电科技封装；是一款双N型和P型场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于电力电子领域、工业电源模块、电动车辆、太阳能逆变器、通信设备等领域。SOP8；N+P—Channel沟道,±60V；5.3/-4.9A；RDS(ON)=26/55mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=±1~±3；
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View full reportTechnical parameters
Key specs
ChannelN + P
Drain-source voltage60 V
Continuous drain current5.3 A
On-resistance55 mΩMax · 10V
| Power | |
|---|---|
| 漏源电压(Vdss) | 60V |
| 连续漏极电流(Id) | 5.3A |
| Other | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 55mΩ@10V,4.9A |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 |