HXY MOSFET(华轩阳电子)China
ZXMN3A06DN8-HXY
Transistors - FETs, MOSFETs - Single这款N+N型场效应管，具备6A的电流承载能力和30V的电压耐受性。其内阻典型值为25mΩ，确保了较低的功耗。VGS为20V，适用于多种电路设计。该元器件在多种应用场景中表现出色，包括但不限于电源管理、信号放大及开关电路等，为电子设备提供稳定可靠的性能支持。(ZXMN3A06DN8TA)
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View full reportTechnical parameters
Key specs
ChannelN-channel
Drain-source voltage30 V
Continuous drain current9 A
On-resistance30 mΩMax · 10V
| Power | |
|---|---|
| 漏源电压(Vdss) | 30V |
| 连续漏极电流(Id) | 9A |
| Other | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 30mΩ@10V |
| 数量 | 2个N沟道 |