HXY MOSFET(华轩阳电子)China
这款N+N型场效应管,具备6A的电流承载能力和30V的电压耐受性。其内阻典型值为25mΩ,确保了较低的功耗。VGS为20V,适用于多种电路设计。该元器件在多种应用场景中表现出色,包括但不限于电源管理、信号放大及开关电路等,为电子设备提供稳定可靠的性能支持。
All alternatives
View full reportTechnical parameters
Key specs
Continuous drain current6 A
| Environment and package | |
|---|---|
| 封装 | SOP-8 |
| Other | |
| ID | 6A |
| RDON | 25mR |
| TYPE | N+N沟道 |
| VDSS | 30V |
| VGS | 20V |