HXY MOSFET(华轩阳电子)China
ZXMN6A11DN8-HXY
Transistors - FETs, MOSFETs - Single这款N+N型场效应管，具有6.5A的电流承载能力和60V的电压耐受性。其内阻典型值为32mΩ，确保了较低的功耗。VGS为20V，适用于大多数应用需求。该元器件设计精良，性能稳定可靠，可广泛应用于各类电子系统中，为您的设备提供稳定的电流控制和高效的电源管理。(ZXMN6A11DN8TA)
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View full reportTechnical parameters
Key specs
ChannelN-channel
Drain-source voltage60 V
Continuous drain current6.5 A
On-resistance48 mΩMax · 4.5V
| Power | |
|---|---|
| 漏源电压(Vdss) | 60V |
| 连续漏极电流(Id) | 6.5A |
| Other | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 48mΩ@4.5V |
| 数量 | 2个N沟道 |