ALJ(龙晶微)China

特性：N沟道MOSFET。漏源电压 20 V，连续漏极电流 2.8 A。采用先进的沟槽工艺技术，提供优异的导通电阻特性和低栅极电荷。采用SOT-23表面贴装封装。应用：负载开关、DC-DC 转换器、便携式设备和工业控制等领域。