NH(纽航)

GBJ610G

直流反向耐压(Vr)：1kV 平均整流电流(Io)：10A 正向压降(Vf)：1.1V@5A 正向浪涌电流(Ifsm)：220A

直流反向耐压(Vr)：1kV 平均整流电流(Io)：25A 正向压降(Vf)：1.1V@12.5A 正向浪涌电流(Ifsm)：320A

GBJ2506L

SIC-MOSFET,1个N沟道,Vds=750V,ID=19.5A,RDS(on)=130mΩ typ.@18V,TO-220FP封装

SIC-MOSFET,1个N沟道,Vds=750V,ID=15.5A,RDS(on)=190mΩ typ.@18V,TO-252封装

SIC-MOSFET,1个N沟道,Vds=750V,ID=15.5A,RDS(on)=190mΩ typ.@18V,TO-220FP封装

SIC-MOSFET,1个N沟道,Vds=750V,ID=10A,RDS(on)=260mΩ typ.@18V,TO-252封装

MBR30L300CD

MBR40L100CD

NPS50N20C

NPS30N20C

低内阻使导通损耗小,小QG减小开关损耗。应用：适配器和LED电源次级侧同步整流或DC-DC电机驱动。

SIC-MOSFET,1个N沟道,Vds=750V,ID=10A,RDS(on)=260mΩ typ.@18V,TO-220FP封装

SIC-MOSFET,1个N沟道,Vds=750V,ID=19.5A,RDS(on)=130mΩ typ.@18V,TO-252封装

直流反向耐压(Vr)：600V 平均整流电流(Io)：1A 正向压降(Vf)：1.3V@1A 反向恢复时间(trr)：250ns

NTH084N06S

肖特基桥式整流器（SKY)，VRRM=200V, IF(AV)=5A,ABS封装

SR5250