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- CM1102B-MAD
Battery Management
- CM1101B-WDF
Battery Management
- CM1041-HS/HT
Battery Management
- CM1112-MAE
Battery Management
- CMD5N50VFD
Single FETs, MOSFETs
采用多层外延制造工艺和独特结构设计的超结MOS,产品具有比常规MOSFET更快的开关速度及更柔和的开关曲线,在低开关损耗的同时也抑制了开关震荡,提高系统效率、降低发热量,简化系统的EMC设计。基于其高效率、低温升的特点,特别适用于快速充电器、LED电源、通讯、服务器电源、电动车充电桩、车载电源系统等系统应用。
- CMD5N25VFD
Single FETs, MOSFETs
采用多层外延制造工艺和独特结构设计的超结MOS,产品具有比常规MOSFET更快的开关速度及更柔和的开关曲线,在低开关损耗的同时也抑制了开关震荡,提高系统效率、降低发热量,简化系统的EMC设计。基于其高效率、低温升的特点,特别适用于快速充电器、LED电源、通讯、服务器电源、电动车充电桩、车载电源系统等系统应用。
- CMD5N50VFDB
Single FETs, MOSFETs
采用多层外延制造工艺和独特结构设计的超结MOS,产品具有比常规MOSFET更快的开关速度及更柔和的开关曲线,在低开关损耗的同时也抑制了开关震荡,提高系统效率、降低发热量,简化系统的EMC设计。基于其高效率、低温升的特点,特别适用于快速充电器、LED电源、通讯、服务器电源、电动车充电桩、车载电源系统等系统应用。
- CMD5N50VFDC
Single FETs, MOSFETs
采用多层外延制造工艺和独特结构设计的超结MOS,产品具有比常规MOSFET更快的开关速度及更柔和的开关曲线,在低开关损耗的同时也抑制了开关震荡,提高系统效率、降低发热量,简化系统的EMC设计。基于其高效率、低温升的特点,特别适用于快速充电器、LED电源、通讯、服务器电源、电动车充电桩、车载电源系统等系统应用。
- CMD5N50VFDD
Single FETs, MOSFETs
采用多层外延制造工艺和独特结构设计的超结MOS,产品具有比常规MOSFET更快的开关速度及更柔和的开关曲线,在低开关损耗的同时也抑制了开关震荡,提高系统效率、降低发热量,简化系统的EMC设计。基于其高效率、低温升的特点,特别适用于快速充电器、LED电源、通讯、服务器电源、电动车充电桩、车载电源系统等系统应用。
- CMD65R1500D
Single FETs, MOSFETs
采用多层外延制造工艺和独特结构设计的超结MOS,产品具有比常规MOSFET更快的开关速度及更柔和的开关曲线,在低开关损耗的同时也抑制了开关震荡,提高系统效率、降低发热量,简化系统的EMC设计。基于其高效率、低温升的特点,特别适用于快速充电器、LED电源、通讯、服务器电源、电动车充电桩、车载电源系统等系统应用。
- CMD65R1100D
Single FETs, MOSFETs
采用多层外延制造工艺和独特结构设计的超结MOS,产品具有比常规MOSFET更快的开关速度及更柔和的开关曲线,在低开关损耗的同时也抑制了开关震荡,提高系统效率、降低发热量,简化系统的EMC设计。基于其高效率、低温升的特点,特别适用于快速充电器、LED电源、通讯、服务器电源、电动车充电桩、车载电源系统等系统应用。
- CMD65R800D
Single FETs, MOSFETs
采用多层外延制造工艺和独特结构设计的超结MOS,产品具有比常规MOSFET更快的开关速度及更柔和的开关曲线,在低开关损耗的同时也抑制了开关震荡,提高系统效率、降低发热量,简化系统的EMC设计。基于其高效率、低温升的特点,特别适用于快速充电器、LED电源、通讯、服务器电源、电动车充电桩、车载电源系统等系统应用。
- CMD65R550D
Single FETs, MOSFETs
采用多层外延制造工艺和独特结构设计的超结MOS,产品具有比常规MOSFET更快的开关速度及更柔和的开关曲线,在低开关损耗的同时也抑制了开关震荡,提高系统效率、降低发热量,简化系统的EMC设计。基于其高效率、低温升的特点,特别适用于快速充电器、LED电源、通讯、服务器电源、电动车充电桩、车载电源系统等系统应用。
- CMW65R120DFD
Single FETs, MOSFETs
采用多层外延制造工艺和独特结构设计的超结MOS,产品具有比常规MOSFET更快的开关速度及更柔和的开关曲线,在低开关损耗的同时也抑制了开关震荡,提高系统效率、降低发热量,简化系统的EMC设计。基于其高效率、低温升的特点,特别适用于快速充电器、LED电源、通讯、服务器电源、电动车充电桩、车载电源系统等系统应用。
- CMP65R120DFD
Single FETs, MOSFETs
采用多层外延制造工艺和独特结构设计的超结MOS,产品具有比常规MOSFET更快的开关速度及更柔和的开关曲线,在低开关损耗的同时也抑制了开关震荡,提高系统效率、降低发热量,简化系统的EMC设计。基于其高效率、低温升的特点,特别适用于快速充电器、LED电源、通讯、服务器电源、电动车充电桩、车载电源系统等系统应用。
- CMB60R110DFD
Single FETs, MOSFETs
采用多层外延制造工艺和独特结构设计的超结MOS,产品具有比常规MOSFET更快的开关速度及更柔和的开关曲线,在低开关损耗的同时也抑制了开关震荡,提高系统效率、降低发热量,简化系统的EMC设计。基于其高效率、低温升的特点,特别适用于快速充电器、LED电源、通讯、服务器电源、电动车充电桩、车载电源系统等系统应用。
- CMP60R110DFD
Single FETs, MOSFETs
采用多层外延制造工艺和独特结构设计的超结MOS,产品具有比常规MOSFET更快的开关速度及更柔和的开关曲线,在低开关损耗的同时也抑制了开关震荡,提高系统效率、降低发热量,简化系统的EMC设计。基于其高效率、低温升的特点,特别适用于快速充电器、LED电源、通讯、服务器电源、电动车充电桩、车载电源系统等系统应用。
- CMS010H20T
Single FETs, MOSFETs
iCM专注于高能效功率半导体器件的创新设计,开发了一系列中低压MOSFET产品,广泛应用于无刷电机、各类电源、锂电保护、绿色照明、充电桩等领域。系列产品具有低FOM值,一致性好,性价比高等优势。
- CMS040H15T
Single FETs, MOSFETs
iCM专注于高能效功率半导体器件的创新设计,开发了一系列中低压MOSFET产品,广泛应用于无刷电机、各类电源、锂电保护、绿色照明、充电桩等领域。系列产品具有低FOM值,一致性好,性价比高等优势。
- CMS045H15G
Single FETs, MOSFETs
iCM专注于高能效功率半导体器件的创新设计,开发了一系列中低压MOSFET产品,广泛应用于无刷电机、各类电源、锂电保护、绿色照明、充电桩等领域。系列产品具有低FOM值,一致性好,性价比高等优势。