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    Battery Management

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    Battery Management

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    Battery Management

  • CMD5N50VFD

    Single FETs, MOSFETs

    采用多层外延制造工艺和独特结构设计的超结MOS,产品具有比常规MOSFET更快的开关速度及更柔和的开关曲线,在低开关损耗的同时也抑制了开关震荡,提高系统效率、降低发热量,简化系统的EMC设计。基于其高效率、低温升的特点,特别适用于快速充电器、LED电源、通讯、服务器电源、电动车充电桩、车载电源系统等系统应用。

  • CMD5N25VFD

    Single FETs, MOSFETs

    采用多层外延制造工艺和独特结构设计的超结MOS,产品具有比常规MOSFET更快的开关速度及更柔和的开关曲线,在低开关损耗的同时也抑制了开关震荡,提高系统效率、降低发热量,简化系统的EMC设计。基于其高效率、低温升的特点,特别适用于快速充电器、LED电源、通讯、服务器电源、电动车充电桩、车载电源系统等系统应用。

  • CMD5N50VFDB

    Single FETs, MOSFETs

    采用多层外延制造工艺和独特结构设计的超结MOS,产品具有比常规MOSFET更快的开关速度及更柔和的开关曲线,在低开关损耗的同时也抑制了开关震荡,提高系统效率、降低发热量,简化系统的EMC设计。基于其高效率、低温升的特点,特别适用于快速充电器、LED电源、通讯、服务器电源、电动车充电桩、车载电源系统等系统应用。

  • CMD5N50VFDC

    Single FETs, MOSFETs

    采用多层外延制造工艺和独特结构设计的超结MOS,产品具有比常规MOSFET更快的开关速度及更柔和的开关曲线,在低开关损耗的同时也抑制了开关震荡,提高系统效率、降低发热量,简化系统的EMC设计。基于其高效率、低温升的特点,特别适用于快速充电器、LED电源、通讯、服务器电源、电动车充电桩、车载电源系统等系统应用。

  • CMD5N50VFDD

    Single FETs, MOSFETs

    采用多层外延制造工艺和独特结构设计的超结MOS,产品具有比常规MOSFET更快的开关速度及更柔和的开关曲线,在低开关损耗的同时也抑制了开关震荡,提高系统效率、降低发热量,简化系统的EMC设计。基于其高效率、低温升的特点,特别适用于快速充电器、LED电源、通讯、服务器电源、电动车充电桩、车载电源系统等系统应用。

  • CMD65R1500D

    Single FETs, MOSFETs

    采用多层外延制造工艺和独特结构设计的超结MOS,产品具有比常规MOSFET更快的开关速度及更柔和的开关曲线,在低开关损耗的同时也抑制了开关震荡,提高系统效率、降低发热量,简化系统的EMC设计。基于其高效率、低温升的特点,特别适用于快速充电器、LED电源、通讯、服务器电源、电动车充电桩、车载电源系统等系统应用。

  • CMD65R1100D

    Single FETs, MOSFETs

    采用多层外延制造工艺和独特结构设计的超结MOS,产品具有比常规MOSFET更快的开关速度及更柔和的开关曲线,在低开关损耗的同时也抑制了开关震荡,提高系统效率、降低发热量,简化系统的EMC设计。基于其高效率、低温升的特点,特别适用于快速充电器、LED电源、通讯、服务器电源、电动车充电桩、车载电源系统等系统应用。

  • CMD65R800D

    Single FETs, MOSFETs

    采用多层外延制造工艺和独特结构设计的超结MOS,产品具有比常规MOSFET更快的开关速度及更柔和的开关曲线,在低开关损耗的同时也抑制了开关震荡,提高系统效率、降低发热量,简化系统的EMC设计。基于其高效率、低温升的特点,特别适用于快速充电器、LED电源、通讯、服务器电源、电动车充电桩、车载电源系统等系统应用。

  • CMD65R550D

    Single FETs, MOSFETs

    采用多层外延制造工艺和独特结构设计的超结MOS,产品具有比常规MOSFET更快的开关速度及更柔和的开关曲线,在低开关损耗的同时也抑制了开关震荡,提高系统效率、降低发热量,简化系统的EMC设计。基于其高效率、低温升的特点,特别适用于快速充电器、LED电源、通讯、服务器电源、电动车充电桩、车载电源系统等系统应用。

  • CMW65R120DFD

    Single FETs, MOSFETs

    采用多层外延制造工艺和独特结构设计的超结MOS,产品具有比常规MOSFET更快的开关速度及更柔和的开关曲线,在低开关损耗的同时也抑制了开关震荡,提高系统效率、降低发热量,简化系统的EMC设计。基于其高效率、低温升的特点,特别适用于快速充电器、LED电源、通讯、服务器电源、电动车充电桩、车载电源系统等系统应用。

  • CMP65R120DFD

    Single FETs, MOSFETs

    采用多层外延制造工艺和独特结构设计的超结MOS,产品具有比常规MOSFET更快的开关速度及更柔和的开关曲线,在低开关损耗的同时也抑制了开关震荡,提高系统效率、降低发热量,简化系统的EMC设计。基于其高效率、低温升的特点,特别适用于快速充电器、LED电源、通讯、服务器电源、电动车充电桩、车载电源系统等系统应用。

  • CMB60R110DFD

    Single FETs, MOSFETs

    采用多层外延制造工艺和独特结构设计的超结MOS,产品具有比常规MOSFET更快的开关速度及更柔和的开关曲线,在低开关损耗的同时也抑制了开关震荡,提高系统效率、降低发热量,简化系统的EMC设计。基于其高效率、低温升的特点,特别适用于快速充电器、LED电源、通讯、服务器电源、电动车充电桩、车载电源系统等系统应用。

  • CMP60R110DFD

    Single FETs, MOSFETs

    采用多层外延制造工艺和独特结构设计的超结MOS,产品具有比常规MOSFET更快的开关速度及更柔和的开关曲线,在低开关损耗的同时也抑制了开关震荡,提高系统效率、降低发热量,简化系统的EMC设计。基于其高效率、低温升的特点,特别适用于快速充电器、LED电源、通讯、服务器电源、电动车充电桩、车载电源系统等系统应用。

  • CMS010H20T

    Single FETs, MOSFETs

    iCM专注于高能效功率半导体器件的创新设计,开发了一系列中低压MOSFET产品,广泛应用于无刷电机、各类电源、锂电保护、绿色照明、充电桩等领域。系列产品具有低FOM值,一致性好,性价比高等优势。

  • CMS040H15T

    Single FETs, MOSFETs

    iCM专注于高能效功率半导体器件的创新设计,开发了一系列中低压MOSFET产品,广泛应用于无刷电机、各类电源、锂电保护、绿色照明、充电桩等领域。系列产品具有低FOM值,一致性好,性价比高等优势。

  • CMS045H15G

    Single FETs, MOSFETs

    iCM专注于高能效功率半导体器件的创新设计,开发了一系列中低压MOSFET产品,广泛应用于无刷电机、各类电源、锂电保护、绿色照明、充电桩等领域。系列产品具有低FOM值,一致性好,性价比高等优势。

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