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Single FETs, MOSFETs
MOSFET P-CH 20V 4A SOT23-3L
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Transistors - FETs, MOSFETs - Single
MOSFET P-CH 20V 4A SOT23-3L
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Transistors - FETs, MOSFETs - Single
P沟道,-20V -5A
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Single FETs, MOSFETs
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Transistors - FETs, MOSFETs - Single
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Transistors - FETs, MOSFETs - Single
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Transistors - FETs, MOSFETs - Single
1个P沟道 耐压:20V 电流:4A适用于电源开关和信号控制
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Transistors - FETs, MOSFETs - Single
带ESD保护，P沟道，-20V，-4.9A，30mΩ@-4.5V,-4.0A，-0.7V@250uA；应用领域：苹果数据线、DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。
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Transistors - FETs, MOSFETs - Single
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Transistors - FETs, MOSFETs - Single
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Transistors - FETs, MOSFETs - Single
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Transistors - FETs, MOSFETs - Single
具有低导通电阻、高速开关特点，适用于电源管理、电机驱动及高频电源转换器领域
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Transistors - FETs, MOSFETs - Single
P沟道,电流:3A,耐压:20V
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Transistors - FETs, MOSFETs - Single
1个P沟道 耐压:20V 电流:4A
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Transistors - FETs, MOSFETs - Single
PMOS 漏源电压(Vdss)：20V VGS=±12V 连续漏极电流(Id):5A 导通电阻(RDS(on)):37mΩ@4.5V,3A 耗散功率(Pd):1.5W
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Transistors - FETs, MOSFETs - Single
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Transistors - FETs, MOSFETs - Single
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Transistors - FETs, MOSFETs - Single
MOS配置 独立式；沟道类型 P 沟道；漏源击穿电压（Vds)-20V；连续漏极电流（Id)-4A；栅极开启电压 (Vgs (th))-0.8~-2.5V；导通内阻 (Rds (on))≤55mΩ@Vgs=-4.5V；耗散功率 (Pd) 1.25W；工作结温范围 - 55℃~+150℃
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Single FETs, MOSFETs
这款P沟道MOSFET具备4.1A的最大排水电流（ID/A），耐压值（VDSS/V）为20V，其导通电阻（RDSON/mR）为34毫欧，并能在栅源电压（VGS/V）为10V时有效工作。该元件适用于设计需要紧凑型低功耗切换解决方案的场合，例如日常电子消费品内部的电源管理单元或是其他需要精确电流控制与高效能量转换的应用中，能够确保电路在承受一定负载的同时维持稳定的性能表现。
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