Results forIRLML6401PBF-HXY

IRLML6401PbF P沟道MOSFET采用紧凑型SOT-23封装，专为高效空间利用设计。该器件具备20V的最大工作电压（VDSS），能承载高达5A的连续漏极电流（ID），适用于大电流处理场景。其低至35mR的导通电阻（RD(on)）确保了高效能和低损耗。广泛应用于电源转换、电池管理系统、以及需要高速开关和高电流控制功能的电子设备中，是工程师的理想选择。