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- LBSS123LT1G
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
N沟道,100V,0.17A,6Ω@10V
- LBSS123LT1G
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
特性：100V N沟道0.17A、高压小电流MOS管、小信号MOSFET。极小封装内实现了高耐压，同时保持极低的电容和电荷。应用：适合高压、低频、小信号的开关和电平转换场景等。
- LBSS123LT1G-VB
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
台积电流片，长电科技封装；这是一款单个N型MOSFET，适用于低功率应用场合。其主要特点包括适中的电压和电流承受能力，以及较高的阈值电压和导通电阻。可用于各种需要低功率和高性能的电源控制和驱动应用中，特别适合于小型和便携式设备。SOT23；N—Channel沟道,100V；0.26A；RDS(ON)=2800mΩ@VGS=10V,VGS=±20V；Vth=1~2.5V；
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