Results forME20P06

P沟道,电流:-17.7A,耐压:60V

P沟道,-60V,-17.7A,100mΩ@4.5V

这款P沟道场效应管（MOSFET）设计精良，具有强大的电气性能。它支持的最大漏极电流ID高达15A，最高漏源电压VDSS为60V，而导通电阻RDON仅为70mΩ，这使得它成为高效率开关应用的理想选择。该MOSFET支持的最高栅源电压VGS为20V，确保了在复杂电路环境中的稳定运行。适用于电源转换、信号处理等需要高性能开关元件的应用场景，能够提供卓越的能效与稳定性。

台积电流片，长电科技封装；是一款单路P型金属氧化物半导体场效应晶体管，采用Trench工艺，其高性能和可靠性使其在各种工业和消费电子应用中都能发挥重要作用。TO252；P—Channel沟道,-60V；-30A；RDS(ON)=61mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-3V；