Results forME60N03

这款N沟道场效应管（MOSFET）具有60A的连续漏极电流（ID）和30V的漏源极击穿电压（VDSS），确保了其在高功率密度应用中的稳定性能。其导通电阻（RDON）仅为7mΩ，在保证高效能的同时降低了热损耗。该MOSFET的最大栅源电压（VGS）可达±20V，提供了宽泛的工作范围，适合用于要求苛刻的电路设计中，如开关电源、电池管理和信号处理等领域。

1个N沟道 耐压:25V 电流:53A

适用于各类电源转换和开关控制场景。

台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道场效应管，采用Trench工艺制造，适用于需要高功率输出和稳定性能的电源管理和功率控制系统。TO252；N—Channel沟道,20V；100A；RDS(ON)=4.5mΩ@VGS=4.5V,VGS=15V；Vth=0.5~1.5V；