Results forSI2312CDS-T1-GE3

N沟 20V 6A

台积电流片，长电科技封装；这是一款单N型场效应晶体管，适用于多种应用场景。采用Trench工艺制造；可用作开关电源的关键部件，驱动汽车电子系统中的各种负载，控制和驱动各种工业设备和机器人系统。SOT23；N—Channel沟道,20V；6A；RDS(ON)=28mΩ@VGS=4.5V,VGS=12V；Vth=0.45~1V；

Si2312CDS-T1-GE3 是一款高性价比N沟道MOSFET，采用紧凑型SOT-23封装，特别适用于空间受限且需高效能的电子设计。器件支持最大20V的漏源电压(VDSS)，并能稳定提供6A的漏极电流(ID)，同时拥有低至22mΩ的导通电阻(RD(on))，确保了优秀的电能转换效率和低功耗。广泛应用于电源管理、负载开关、马达驱动等场景，是小型化、节能型电子设备的理想半导体元件。